Presentations from Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского (N. I. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod)

Курс: «DVM-технология разработки параллельных программ для вычислительных кластеров» Бахтин Владимир Александрович К.ф.-м.н., зав. сектором Института прикладной математики им М.В.Келдыша РАН Ассистент кафедры системного программирования факультета ВМК Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова bakhtin@keldysh.ru

ЭФФЕКТЫ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В СТРУКТУРАХ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, С.Ю. Турищев Воронежский государственный университет Воронеж ftt@phys.vsu.ru www.phys.vsu.ru/ssp

Диодные туннельно-пролетные структуры Si:Er/Si с расширенной областью пространственного заряда, излучающие в диапазоне 1.54 мкм при комнатной температуре В.П. Кузнецов, О.Н. Горшков Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского С.В. Оболенский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, В.А. Козлов, К.Е. Кудрявцев, З.Ф. Красильник Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород Кремний-2010

Светоизлучающие структуры на основе нанокристаллов (нанокластеров) кремния в диэлектрических матрицах НИФТИ ННГУ Д.И. Тетельбаум

ОСОБЕННОСТИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С СИСТЕМАМИ, СОДЕРЖАЩИМИ НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ В.А. Терехов1, С.Ю. Турищев1, К.Н. Панков1, И.Е. Занин1, Э.П. Домашевская1, Д.И. Тетельбаум2, А.Н. Михайлов2, А.И. Белов2, Д.Е. Николичев2, С.Ю. Зубков2 1 – Воронежский государственный университет, 394006, Университетская пл.1, Воронеж, ftt@phys.vsu.ru, www.phys.vsu.ru/ssp 2 - Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950, Нижний Новгород В.А. Терехов, 2010

ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА УСКОРЕННОЕ ФОРМИРОВАНИЕ НАНОПРЕЦИПИТАТОВ SiO2 В Si ПОД ДЕЙСТВИЕМ RTA

В.Г. Литовченко, И.П. Лисовский, В.Ф. Мачулин, В.П. Кладько, А.В. Сариков, С.А. Злобин, М.В. Войтович, М.В. Меженный Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАНУ, Киев, Украина ОАО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»» Москва, Россия

Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская область, ул. Академика Ю.А. Осипьяна, 2, e-mail: suvorov@issp.ac.ru О ПРИРОДЕ «ПРЯМОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ» ДИСЛОКАЦИЙ В МЕТОДАХ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ ТОПОГРАФИИ Э.В. Суворов, И.А. Смирнова

Герасименко Н.Н., Медетов Н.А., Смирнов Д.И., Мамайкин А.В. Московский государственный институт электронной техники (технический университет), Москва, Зеленоград mailto: rmta@miee.ru тел.: (499) 734-30-11

Авторы: М.Я Дашевский, О.В. Минькова, С.Л.Сорокин, М.В.Меженный, В.Ф.Павлов, М.И.Воронова, В.С.Ежлов, О.М.Кугаенко, М.И.Петржик, В.В.Хасиков, С.А.Афонькин, М.А.Беляева, Г.С.Сорокин, И.И.Тищенко

ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ В СТРУКТУРАХ Si/SiO2 ПРИ ОКИСЛЕНИИ СЛОЕВ SiGe, SiAu и SiPt: СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА А.Г. Новиков1, П.И. Гайдук1, К.Ю. Максимова2, А.В. Зенкевич2 1Белорусский государственный университет, г. Минск 2НИЯУ «Московский инженерно-физический институт», г. Москва E-mail: nowikow@biz.by Кремний – 2010, 6 – 9 июля, Н. Новгород

СЕКЦИОННАЯ ТОПОГРАФИЯ ОДНОРОДНО ИЗОГНУТОГО КРИСТАЛЛА (ГЕТЕРОСТРУКТУРА SiGe/Si ) И.А. Смирнова1, Э.В. Суворов1, Е.В. Шулаков21 Институт физики твердого тела РАН2 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

СЕКЦИОННАЯ ТОПОГРАФИЯ ОДНОРОДНО ИЗОГНУТОГО КРИСТАЛЛА (ГЕТЕРОСТРУКТУРА SiGe/Si ) И.А. Смирнова1, Э.В. Суворов1, Е.В. Шулаков21 Институт физики твердого тела РАН2 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Зарождение островков Ge на структурированных подложках Si План: Формирование пространственно-упорядоченных массивов КТ на структурированных подложках Метод молекулярной динамики Потенциал Терсоффа Потенциальный рельеф на структурированных подложках Si(001) и Si(111) Сравнение с экспериментальными результатами Энергия различных морфологий Ge в ямках Заключение и выводы Павел Новиков, Ж. Смагина, Д. Власов, А. Двуреченский, Д. Насимов, А. Дерябин и А. Кожухов Институт физики полупроводников, СО РАН, Новосибирск

Национальный Исследовательский Технологический Университет «МИСиС» Научный совет РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения » М.Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» 2010г.

Национальный Исследовательский Технологический Университет «МИСиС» Научный совет РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения » М.Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» 2010г.

ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА СТАБИЛЬНЫХ ИЗОТОПОВ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ХИМИЧЕСКОЙ И ИЗОТОПНОЙ ЧИСТОТЫ А.В.Гусев, В.А.Гавва, А.М.Гибин Институт химии высокочистых веществ РАН г. Нижний Новгород gusev@ihps.nnov.ru

М.В. Степихова, Л.В. Красильникова, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород В.И. Вдовин Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург Работа поддержана РФФИ: проект #08-02-01063 VII Международная конференция «Кремний-2010» Si-2010 Роль релаксации гетерослоя в люминесцентном отклике структур Si/Si1-xGex:Er/Si ИФМ РАН I would like to present the results of investigations on the optical properties of erbium doped silicon multilayer structures for LED and Laser Applications . This work was carried out in IPM RAS in collaboration with our colleagues from Nizhny Novgorod University, Prof. W.Jantsch from Linz University, Dr. Hanka Przybylinska from the Institute of Physics, Warsaw, and T. Gregorkiewicz team from Zeeman Institute, University of Amsterdam [].

Физика слоев гидрированного кремнияА.Г.КазанскийМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова Содержание Введение Структура и дефекты Распределение плотности электронных состояний Перенос носителей заряда (проводимость) Оптические свойства Заключение

“ИНЖЕНЕРИЯ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ДИСЛОКАЦИЯМИ” Виталий Кведер Институт Физики Твердого Тела РАН,Черноголовка, (in cooperation with Göttingen University)

“ИНЖЕНЕРИЯ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ДИСЛОКАЦИЯМИ” Виталий Кведер Институт Физики Твердого Тела РАН,Черноголовка, (in cooperation with Göttingen University)

Relaxation of intracenter excitations in monoisotopic 28Si:P S.G. Pavlov1, S.A. Lynch2, P.T. Greenland2, K. Litvinenko3, R. Eichholz1, V.N. Shastin4, B. Redlich5, A.F.G. van der Meer5, N.V. Abrosimov6, H. Riemann6, H.-J. Pohl7, G. Aeppli2, B.N. Murdin3, C.R. Pidgeon8, and H.-W. Hübers1,9 1) Institute of Planetary Research, German Aerospace Center (DLR), Berlin, Germany 2) London Centre for Nanotechnology and Department of Physics and Astronomy, University College London, England 3) Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford, England 4) Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia 5) FOM-Institute for Plasma Physics, Nieuwegein, The Netherlands 6) Leibniz Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany 7) VITCON Projectconsult GmbH, Jena, Germany 8) Department of Physics, Heriot-Watt University Riccarton, Edinburgh, Scotland 9) Institut für Optik und Atomare Physik, Technische Universität Berlin, Germany

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ ВЕРТИКАЛЬНО УПОРЯДОЧЕННЫХ НАНОВКЛЮЧЕНИЙ КРЕМНИЯ В ОКСИДНОЙ МАТРИЦЕ А.В. Ершов ershov@phys.unn.ru 23/3 Gagarin Ave., Nizhni Novgorod, RUSSIA

Login using your SlideFinder account

Or use your third party provider to login

Universities > Russia Showing 1 - 20 of 130 items

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского (N. I. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod)

ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА УСКОРЕННОЕ ФОРМИРОВАНИЕ НАНОПРЕЦИПИТАТОВ SiO2 В Si ПОД ДЕЙСТВИЕМ RTA

“ИНЖЕНЕРИЯ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ДИСЛОКАЦИЯМИ” Виталий Кведер Институт Физики Твердого Тела РАН,Черноголовка, (in cooperation with Göttingen University)

Learn about us

Universities

Slides by language

Tools