El Instituto dice … Apuntes sobre sectores tecnológicos en alza basados en estimaciones del IEEEELECTRONICA
El Instituto dice … Apuntes sobre sectores tecnológicos en alza basados en estimaciones del IEEE
ELECTRONICA
-2004- RFID Tags (Etiquetas de Radio Frecuencia)
Chip transmisor/receptor + antena
Memoria de al menos 64 bits que almacena un código único e individual, EPC (Electronic Product Code)
Capaz de transmitir su código a un lector con un alcance de hasta 10 metros
“Un paso más allá del código de barras”
2004 Materiales semiconductores (“Gamble”: el nitruro de galio)
Objetivo: desarrollar obleas de nitruro de galio de alta pureza como sustratos para la fabricación de diodos láser (azul - ultravioleta).
Aplicación: siguiente generación de DVDs.
Compañías: Industrias Eléctricas Sumitono (Itami, Japón).
Personas trabajando en el proyecto: 50
Presupuesto: 40.000.000 dólares
2004 El hardware (HW) del futuro (la máquina “camaleón”)
Objetivo: desarrollar un hardware digital universal capaz de:
reconfigurar su funcionalidad
adaptarse a nuevos estándares
actualizar su seguridad
Aplicación: “El asistente digital universal”
Compañías: Altera, Xilinx, Quick-Silver Technologies, Ascenium
El asistente digital universal Problema:
Diversidad de dispositivos electrónicos “de bolsillo”
Igual diversidad de cargadores, cables, baterías, etc. (no estándar)
2005 Aplicación de los CNTs a memorias “NRAM” (Memorias de nanotubos de acceso aleatorio)
Objetivo: Producir memorias NRAM en una fábrica de semiconductores, integrando dicha tecnología en el proceso de fabricación CMOS estándar.
Aplicaciones: memorias de ordenadores, dispositivos móviles, memorias embebidas, FPGAs,..
Compañías: Nantero Inc. (Massachusetts) y LSI Logic Corp. (factoría de Obregón)
Antecedentes: Tesis doctoral de Thomas Rueckes (2001) de la Universidad de Harvard, miembro fundador de Nantero.
2006
TRANSISTOR LASER COMUNICACION OPTICA A NIVEL DE CHIP !!
LAS CAPACIDADES DE TRANSMISION Y ALMACENAMIENTO
DE DATOS SE MULTIPLICARÁN VARIOS ORDENES
NUEVA REVOLUCION ELECTRONICA
NUEVA ERA DE LAS COMUNICACIONES Y DE LA INFORMATICA
EL T. LASER FORMARÁ PARTE DE LOS CIRCUITOS
INTEGRADOS DURANTE LAS PROXIMAS DECADAS
2007 Z-RAM® Es un nuevo tipo de memoria
hasta 2 veces más densa que la DRAM
y 5 veces más que la SRAM - No requiere materiales nuevos
Ni procesos de fabricación sofisticados
Cada celda es un único transistor
Del transistor al circuito integrado Jean Hoerni y los ocho de Fairchlid
Pequeña parte en la historia del desarrollo de la industria de semiconductores relacionada con el paso del transistor al circuito integrado.
A finales de 1957, ocho científicos e ingenieros abandonan el Shockley semiconductor laboratory (artos de la personalidad de Shockley) y fundan Fairchild semiconductores con objeto de desarrollar los mejores transistores posibles.
Son los tiempos en los que el transistor ya ha sido demostrado y se trabaja porque sea un buen producto comercializable
Son buenos tiempos para montar una empresa de este tipo porque el 4 de octubre de 1957 los soviéticos lanzan el Sputnik y EEUU comienza una carrera espacial para compensar su retardo alta inversión en tecnología que aligeren las funciones electrónicas de los equipos espaciales.
Moore Dopados
Noyce y Last fotolitografía
Sheldon Roberts cristalógrafo para crecer obleas de silicio de lata pureza
Jean Hoerni (Suizo y Físico teórico) experto en teoría de la dinámica de los procesos de difusión Tiene una brillante idea que permite dar un paso de gigante en el desarrollo de la electrónica de semiconductores (y que ha pasado algo desapercibido)
“The oxide layer so obtained is an integrant [sic] part of the device and will protect the otherwise exposed junctions from contamination and possible electrical leakage due to subsequent handling, cleaning, and canning of the device.” 1 Octubre de 1957 (extractos del cuaderno de laboratorio de Hoerni) “Method of protecting exposed p-n junctions at the surface of silicon transistors by oxide masking techniques”
Los mejores transistores de la época tipo mesa (Fairchild fabrica el primero comercial)
Enormes problemas de fiabilidad debido a que las uniones PN estaban al aire y eran muy sensibles a las impurezas tremendos problemas para las aplicaciones espaciales.
Idea de Hoerni emplear el dioxido de Silicio para aislar las uniones PN el resultado es un transistor planar
Nota: hasta entonces el dioxido de silicio se intentaba eliminar por todos los medios. Era considerado una impureza más.
Marzo 1959 Hoerni muestra el primer prototipo transistor planar Abril 1960 Primera venta comercial de un transistor planar Meses después Noyce y Moore deciden que todos los transistores de Fairchild serán planares. En poco tiempo todas la empresas competidoras usan el proceso planar o cierran el negocio
Marzo de 1959 primer prototipo en el laboratorio demostrado antes sus colegas con éxito (leyenda sobre escupitajo)
Abril 1960 Primera venta comercial
En muy poco tiempo los transistores de Motorola, Texas y todas las demás son planares (compra de licencia a Fairchild). Los que no se pasan a esta tecnología acaban cerrando el negocio.
“In many applications now it would be desirable to make multiple devices on a single piece of silicon in order to be able to make interconnections between devices as part of the manufacturing process, and thus reduce size, weight, etc., as well as cost per active element.” 23 de enero de 1959 (Extractos del cuaderno de laboratorio de R. Noyce) 6 de marzo de 1959 Texas Instruments presenta el primer circuito integrado con transistores “mesa” desarrollado por Jack Kilby (Premio Nobel 2000)
Antes de que salga el primer transistor planar… algo más se está cociendo.
Entrada del cuaderno de Noyce con su idea de circuito integrado.
En ese momento TI muestra en Nueva York el primer circuito integrado, cableando transistores mesa. Desarrollado por Jack Kilby. Por cierto es un oscilador.
Gran revuelo en toda la industria de semiconductores. En particular en Fairchild
Marzo 1959 Robert Noyce organiza una reunión urgente para debatir cómo responder a los avances de Texas Instruments a partir de la tecnología planar.
Marzo de 1959 gabinete de crisis en fairchild. Reunión para sacar ideas sobre cómo hacer un circuito integrado. Tormenta de cerebros.
Meses después, Noyce presenta su famosísima patente. A partir de la tecnología planar (y gracias a ella): lanzar tiras de aluminio sobre el dioxido de silicio para conectar terminales de distintos transistores y que lostres terminales estén en el mismo plano
Esa patente está presentada tres meses después de una patente de Hoerni sobre fabricación de transistores planares en la que se indica de manera muy secundaria la posibilidad.
Marzo 1961 Fairchild desarrolla el primer microchip comercial de la historia (un flip-flop) a partir de las ideas de Noyce y Hoerni. Mientras tanto, Texas Instruments no consigue alcanzar un proceso comercial con su tecnología de transistores mesa cableados.
Texas acabará comprando la licencia a Fairchild para utilizar su tecnología planar para hacer circuitos integrados
El nobel en 2000 se lo dieron a Kilby
Se lo hubiesen dado también a Noyce si no hubiese fallecido.
Década de los 60 Fairchild se convierte en la empresa más importante e innovadora de la industria de semiconductores Decenas de empresas surgen a partir de ingenieros y científicos de Fairchild. Es el boom de Silicon Valley
Tras el éxito fairchild empresa más importante de la industria de semiconductores de la década.
Más de 70 empresas a partir de ella. Entre ellas Intel fundada por Moore y Noyce.
Es el boom de Silicon Valley
“the most important innovation in the history of the semiconductor industry." “We make more transistors per year (1e18) than the number of printed characters in all the newspapers, magazines, books, photocopies, and computer printouts,” Gordon Moore
Para algún historiador: la idea del transistor planar : “the most important innovation in the history of the semiconductor industry."
Aunque Hoerni a pasado bastante desapercibido
En comparación con Noyce, Moore Kilby…
En todo caso es su idea la que permitió desarrollar la tecnología de integración hasta lo que es hoy en día.
Más sobre el tema: - M. Riordan, “The Silicon Dioxide Solution”, IEEE Spectrum, Diciembre 2007 - http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline.html
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